专利摘要:
本発明は、イオン化チャンバ(4)と、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための電極(3)を伴う加速チャンバ(2)とを備えるパルス電子(1)に関し、前記ポンプ電子イオン(1)は、加速チャンバ(2)外部の一次プラズマ(17)を推進するための正電圧と、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための負電圧パルスと、を前記電極(3)に加えるために適合される電源(11)を備える。
公开号:JP2011511999A
申请号:JP2010541820
申请日:2009-01-08
公开日:2011-04-14
发明作者:マカロフ・マクシム
申请人:エクシコ・グループExcico Group;
IPC主号:H01J37-077
专利说明:

[0001] 本発明は、パルス電子源および当該電子源を使用する装置の分野に関する。パルス化電子源は、電子的に励起されたガスレーザまたは磁気流体力学的発電機において使用され得る。]
背景技術

[0002] 特許文献1には、電子用出口窓が設けられて低圧ガスで充填されたエンクロージャと、二次電子源放出用窓に対して高い負電圧の冷陰極と、正極へのイオン循環および窓への二次電子循環用経路を画定するガス用イオン化チャンバと、正極とイオン化チャンバとの間に配置されるとともに、グリッドと窓との間でかつイオン化チャンバ内に実質的に等電位な空間を、グリッドと正極との間に高電位勾配を伴う空間を、作り出すために窓の電位に近い電位がもたらされるスクリーンまたはグリッドと、を備える電子源が記載されている。]
[0003] 本出願人は、グリッドに特殊な問題が存在することに気付いていた。実際に、一方で、グリッドは、イオン化中にイオン化チャンバから加速チャンバへの一次イオンの寄生漏れを防ぐことにより2つのチャンバを隔離しなければならない。他方で、グリッドは、加速中に電子ビームが最小損失で通過することを許容するのが可能な程度に透明に加速チャンバ内に形成されなければならない。イオン化チャンバにおいて作り出されたイオンの一部が加速チャンバに浸透するとともに、その作動に影響を及ぼす際に、分離は部分的にできるにすぎない。]
[0004] 特許文献2には、2つのチャンバ間のより効果的な分離を提供する特殊な形状のグリッドを使用することが提案されている。しかしながら、一次プラズマは、加速チャンバに浸透するとともに正極を覆う。このことは、正極へのパルス高圧電力の作動の停止、電子ビームの電流パルスの伸張およびコントラストにおける劣化をもたらす。]
[0005] イオン化チャンバに自由電子を駆動させることを負電位にもたらすか、2つのチャンバ間の分離境界から離れる陽イオンを駆動させることを正電位にもたらす第2の補助グリッドの使用は、追加電源の使用を必要とし、パルス電子源の全体を複雑にする。加速チャンバに形成された電子ビームはグリッドを強制的に通過させられ、一方で電子ビームを減衰させ、他方でグリッドを損傷させる。グリッドへの損傷は、電子ビームの電流内に制限をもたらすとともに、実質的にグリッドつまり電子源の耐用期間を短くする。]
[0006] 本発明は、特に上述した先行技術の欠点を改善することについて述べる。]
先行技術

[0007] フランス特許第2204882号明細書
フランス特許第2591035号明細書]
発明が解決しようとする課題

[0008] 本発明の目的は、特に、耐用期間が長く、低い電力で高い電圧源を供給し、電子源の正極と出口との間で高い電子収率を伴いかつ電子ビームの電流の高いコントラストを伴う電子源を提供することにある。]
課題を解決するための手段

[0009] パルス電子源は、イオン化チャンバと、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための電極が設けられた加速チャンバと、加速チャンバ外の一次プラズマと一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための負電圧パルスとを駆動させるために電極に正電圧を加える構成とされる電源と、を備える。電極に加えられた正電圧は、加速チャンバから離れる陽イオンを移動させることを可能とする。]
[0010] 一態様において、電極は概して凸形円柱形状である。電極は、イオン化チャンバと加速チャンバとを接続するスロットと対向位置にある平坦または凹形の中央部が設けられ得る。このことは、スロット方向への集中した電子ビームの放出を支援する。]
[0011] 一態様において、イオン化チャンバと加速チャンバはオープンスロットにより接続される。グリッドの設備を取り除くことが可能である。電子源の構造が簡素化される。電子源の減衰が少なくなる。電子源の耐用期間は、最早グリッドの耐用期間により制限されなくなる。]
[0012] 一態様において、イオン化チャンバと加速チャンバは、電極の中央部とイオン化チャンバの出口との間に設けられるスロットにより接続される。スロットは、電極とイオン化チャンバの出口との間の電子ビームの経路に配置される。]
[0013] イオン化チャンバの出口は開き得る。あるいは、イオン化チャンバの出口は、少なくとも1つのグリッドが設けられ得る。イオン化チャンバの出口は、電子をX線に変換するための金属層を備えるシートにより塞がれ得る。金属層は、原子質量が50より大きい少なくとも1つの金属を含み得る。]
[0014] 一態様において、電源は、キャパシタを介して直流電圧源が接続されたプライマリが設けられるパルス変換器を備える。スイッチは、アースとプライマリの反対側におけるキャパシタの端子との間に配置され得る。パルス変換器は、電極に接続されるプライマリが設けられる。補助電圧源は、前記電極に前記正電圧を加えるように配置され得る。補助電圧源は、アースと電極との間に配置され得る。補助電圧源は、変換器のセカンダリに連続して配置され得る。キャパシタが、電圧源と平行に配置され得る。つまり、電源は、電極用正バイアス電圧と、前記電極に加えられる負電圧パルスとの発生を確実にする。電源は、単純で経済的な構造を有する。]
[0015] 一態様において、電源は、補助電圧源に連続して保護装置を備える。]
[0016] 保護装置は、少なくとも1つのダイオード、キャパシタおよび/またはインダクタを備え得る。]
[0017] 補助電圧源は、100〜500V、好ましくは200〜400Vの電圧を有し得る。]
[0018] 換言すれば、パルス電子源は、イオン化チャンバと、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための電極が設けられる加速チャンバと、イオン化チャンバと加速チャンバとの間の開口と、前記開口を電気的に封鎖するための手段と、電子ビーム形成用電極に高い負電圧を加えるためのパルス電源とを備える。]
[0019] 一態様において、イオン化チャンバは、電極と中空正極を形成するイオン化チャンバの内壁との間に電気放電を得ることの目的のために電極を備える。イオン化チャンバの電極は、1または2以上のフィラメントの形態を採り得る。この電極は、数kVオーダ、例えば1〜10kVでパルスまたは直流のいずれかの正電圧を供給可能な電源により供給され得る。パルス電源は、1〜10μ秒の持続時間、100〜1000Aのピーク電流および/または5〜10kVの電圧を伴うパルスを提供し得る。]
[0020] 作動中、イオン化チャンバ内部のイオン化は、アースに接続された中空正極を形成するイオン化チャンバの内壁を保つこと、イオン化チャンバの電極に1〜10kVの正電圧をもたらすことおよび加速チャンバの電極に100〜500Vの正電位をもたらすことにより得ることができ得る。このようにして、加速チャンバは、チャンバ間の開口を介してイオン化チャンバから生ずる一次プラズマからの陽イオンの浸透から保護する。イオン源の特殊な作動状況のために、加速チャンバの電極に加えられる電圧は、特にガスの原子質量、ガスの圧力、イオン化チャンバの電極の電圧および電流、前記チャンバ間のスロットの開口および深さ、などのガスの性質の関数として算出される。イオン化チャンバ内で一次放電がひとたび発生すると、−50〜−200kVのオーダで負のパルス電圧が加速チャンバの電極に加えられる。次いで、一次陽イオンの存在は、スロットを介して加速チャンバの電極の方向へ加速される。加速チャンバの前記電極は、陽イオンにより照射される。照射は、前記スロットを通り抜けてイオン源の出口の方向へ前記負電位により加速される二次電子を生成する。]
[0021] パルス電子源用電源供給装置は、一次イオンを抽出および加速するとともに二次電子のビームを形成するために、正電圧、次いで負電圧パルスを電極に加えるための手段を備える。正電圧は、負電圧パルスに先立って加速チャンバ内に存在する陽イオンの量を少なくすることを可能にする。装置は、イオン化チャンバの電極に接続される補助電源を備え得る。装置は、増圧パルス変換器(voltage−increasing pulsed transformer)を備え得る。変換器のセカンダリは、前記負電圧パルスを加えるためにイオン化チャンバの電極に接続される。]
[0022] イオン化チャンバと、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための加速チャンバとを備えるパルス電子源制御プロセスは、加速チャンバ外の一次プラズマを駆動させる電源により供給される正電圧を電極に加えるステップと、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するために前記電源により供給される負電圧パルスを前記電極に加えるステップとを含む。]
[0023] 高い負電圧が加速チャンバの電圧に加えられる際の瞬間に、電極周囲のエリアは実質的に陽イオンプラズマから解放された状態にある。換言すれば、プラズマは、実質的にイオン化チャンバ内部に閉じ込められる。この結果は、電極とプラズマとの間の寄生容量が、加速チャンバ内のプラズマ存在下における寄生容量と比べて極めて弱いということである。所望の加速電圧は、電極への電源の著しく低い帯電圧から開始することができる。加速電極への高い電圧電源を小さくすることができ、特に経済対策になる。電子ビームは少ない減衰ですむ。電子ビームの電流パルスは、十分なコントラストを有する。]
[0024] 本発明は、非制限的な例として参照されるとともに添付図面により図示される複数の実施の形態の詳細な説明の知見からより良好に理解されるであろう。]
図面の簡単な説明

[0025] 図1は、パルス電子源の概略断面図である。
図2は、加速チャンバの電極への電源の配線図である。
図3は、加速チャンバの電極への電源の配線図である。] 図1 図2 図3
実施例

[0026] 図1からわかるように、パルス電子源1は、電極3が配置される加速チャンバ2と、電極5が配置されるイオン化チャンバ4とを備えている。スロット6は、加速チャンバ2とイオン化チャンバ4との間に連通路を提供している。エンクロージャ7により形成される加速チャンバ2およびイオン化チャンバ4は、加速チャンバ2とイオン化チャンバ4とを画定する外壁8と内壁9とを備えている。換言すれば、加速チャンバ2は、複数の外壁8と内壁9とにより画定されている。イオン化チャンバ4は、複数の外壁8と内壁9とにより画定されている。内壁9は、加速チャンバ2とイオン化チャンバ4とにより共有されている。壁8、9は、例えばステンレス鋼または真鍮をベースとした金属からなり、任意にアルミニウムまたはニッケルをベースとした層により内部が覆われている。電極5は、チャンバ4の主方向に伸びる1または2以上のワイヤを備えている。ワイヤは、電場の均一性を高くすることを意図して両端で電力が供給される。] 図1
[0027] 図1の断面の平面において、加速チャンバ2およびイオン化チャンバ4は実質的に矩形状であり得つつ、イオン源は直方体または管状の形態であり得る。後者の場合において、内壁9は円形であり得る。イオン源は、内壁9の反対側におけるイオン化チャンバ4の境界を画定する外壁8に形成される孔の形態で出口10が設けられている。出口10、スロット6および加速チャンバ2の電極3は位置合わせされている。] 図1
[0028] より正確には、加速電極3は、例えば概して管状の円柱部の形態を採り得る。]
[0029] 電極3は、リークタイト絶縁体13を介して外壁8を通り抜ける電気ケーブル12により、電源11に接続されている(図2参照)。イオン化チャンバ4の電極5は、1または2以上のフィラメントを採り得るとともに、リークタイト絶縁体15を通り抜ける電気ケーブル14により外部電源(図示せず)に接続されている。リークタイト絶縁体13、15は、セラミックを含み得る。リークタイト絶縁体13、15は、ガスタイトシールと電気経路を提供する。] 図2
[0030] 第1のステップ中、エンクロージャ7はアースに接続されている。イオン化チャンバ4の電極5は、1〜10kVの電圧がもたらされる。電圧は、パルスまたは直流であり得る。イオン化チャンバ4は、例えば希ガス、特にヘリウムまたはヘリウムとネオンとの混合物のガスにより1〜20Paのオーダの低圧で予め充填されている。]
[0031] イオン源1の出口10は、開いているか、あるいは、電子源1の外部のガス状態がイオン化チャンバ4および加速チャンバ2内で支配的なガスの状態と同様であれば、ビーム用制御グリッドが設けられ得る。必要があれば、出口10には、シール16が設けられ得る。シール16は、金属のシートまたは重金属の微細層による薄い合成材料を含み得る。重金属の層は、1〜10μのオーダの厚さを有し得る。重金属の層は、例えば、金、タンタル、タングステン、などの50より大きい原子質量による1または2以上の金属を含み得る。重金属の層は、電子ビームをX線ビームに変換することを可能にする。]
[0032] 電極5に加える電圧は、イオン化チャンバ4の前記電極5と壁との間に電気放電をもたらす。放電は、イオン化チャンバ4においてプラズマ17を発生させる。スロット6が電場内にわずかに不連続性を作り出すので、プラズマ17は加速チャンバ2内に拡がる傾向を有することができた。しかしながら、加速電極3に加えられる正バイアスUbiasは、プラズマ17の拡散を防ぐか少なくとも制限する、相対的に規則性のある電場線を再構築することを可能にする。プラズマ17は、最も弱い電場により引き付けられるとともに、その加速電極3の正バイアスUbiasが反発効果を生み出す、陽イオン、例えばHe+を含む。このようにして、極めて大きなリダクションが、イオン化段階として知られる第1段階中にプラズマ17から加速チャンバ2への陽イオンの経路で達成される。]
[0033] 換言すれば、そのプロセスは、スロット6の電気的シールを得る。電気的にシールされたスロット6が、有害要素の循環を実質的に制動することができることゆえに特に有利であるのに対し、通り抜けるために望ましい要素のスロット6への混入がグリッドの存在する際よりも著しく少なく制限されることを明らかにしている。]
[0034] 次いで、加速ステップとして知られる第2のステップを引き起こす。高い負電圧−Ugunが加速電極3に加えられる。プラズマ17の陽イオンは、加速電極3により引き付けられると、加速電極3のイオン照射を作り出す。イオン照射は、スロット6の対向位置にある前記電極3の平坦エリア3aの大部分に亘って起こる。加速電極3、特に平坦エリア3aのイオン照射は電子の放出をもたらす。電子は、高い負電圧−Ugunに起因する加速電極3の反発効果を受けるとともに、スロット6とイオン源の出口10を介して脱出する。平坦エリア3a、スロット6および出口10は、全て位置合わせされており、加速電極3により加速される電子は、極めてわずかな損失と必要に応じてシールの存在による損失を受けるだけでスロット6および出口10を通り抜けることができる。]
[0035] 加速電極3への高い負電圧−Ugunの印加中に、プラズマは実質的に解放される。加速電極3とエンクロージャ7との間の寄生容量は極めて低い。この結果は、電極3上の電圧−Ugunを得るために必要とされるエネルギーが極めて低いということである。電源11のサイズを小さくすることができ、特に経済的である。オープンスロット6のおかげで電子ビームの減衰を少なくすることができる。また、スロット6は、角取りがされた縁部を有し得る。図2に示すように、電源11は、プライマリ19およびセカンダリ20が設けられるパルス変換器18を備えている。パルス変換器18のプライマリ19は、一方がアースに接続されるとともに、他方がキャパシタ21に接続されている。プライマリ19の反対側で、キャパシタ21は、電圧源U0およびスイッチ22に接続されている。また、スイッチ22は、キャパシタ21とプライマリ19とを短絡することができるようにアースに接続されている。セカンダリ20は、一方が電源のアースに接続されるとともに、他方が電子源1の加速電極3に接続されている。] 図2
[0036] また、電源11は、セカンダリ20に平行に取り付けられる、バイアス電圧Ubiasを供給するとともに、一方が電源のアースに接続されかつ他方がセカンダリ20と電極3との間の共通点で接続される補助電圧源23を備えている。保護装置24は、循環電流を制限する意図で補助電源23に連続して有利に配置され得る。保護装置24は、少なくとも1つのダイオード、キャパシタおよび/またはインダクタを備え得る。また、電流センサ25は、イオン化チャンバ2における消費電流を測定するために電源11の出口に設けられている。]
[0037] 第1段階中、スイッチ22は開回路を形成する。キャパシタ21は電圧U0に帯電される。]
[0038] 補助電源23は、加速電極3を正バイアス電圧Ubiasで維持する。セカンダリ20における損失を制限するダイオード(図示せず)が、セカンダリ20と保護装置24および加速電極3に共通のポイントとの間に配置される。スイッチ22を閉じた後、キャパシタ21とプライマリ19との間を短絡し、高い負電圧パルス−Ugunが変換器18のセカンダリ20により供給されるとともに加速電極3に加えられる。]
[0039] 図2において、電子源1が寄生容量Cgunに等価の電気回路(form)であることを示している。寄生容量Cgunは、第1のイオン化段階中に加速チャンバ2においてプラズマが存在しないか極めて少量に消耗するために相当少なくされる。プラズマが加速チャンバ2に存在する際には、プラズマの分極が強い寄生容量を発生させる。第1のステップ中にプラズマ17からの陽イオンが加速チャンバ2に入ることを防ぐ正バイアス電圧Ubiasのおかげで、高い負電圧−Ugunが加速電極3に加えられる際の瞬間に加速チャンバ2がプラズマから実質的に解放される。したがって、寄生容量Cgunは低いままである。電源11の帯電電圧U0は低くなり得る。あるいは、変換器18の変圧比が小さくなり得る。] 図2
[0040] 図3に示すように、補助電源23は、例えばアースとセカンダリ20との間でセカンダリ20と連続している。保護装置24は、補助電源23と平行に取り付けられるキャパシタを備えている。] 図3
[0041] パルス電源は、少ない電力の電気供給を有し、それゆえに一層経済的に提供される。電子ビームは、加速チャンバ2とイオン化チャンバ4との間を通過するので、低い損失で済む。オープンスロット6の構成がグリッドより経済的であることを明らかにしている。電子源の耐用期間は、チャンバ間のグリッドの耐用期間により制限されないので、延ばすことができる。]
权利要求:

請求項1
イオン化チャンバ(4)と、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための電極(3)が設けられた加速チャンバ(2)とを備えるパルス電子源(1)であって、前記加速チャンバ(2)外の一次プラズマ(17)を駆動させるための正電圧と、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための負電圧パルスと、を該電極(3)に加えるように構成される電源(11)を備えることを特徴とする、電子源。
請求項2
前記電極(3)は、概して凸形円柱形状であるとともに、イオン化チャンバ(4)と加速チャンバ(2)とを接続するスロット(6)と対向位置にある平坦または凹形の中央部(3a)が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の電子源。
請求項3
前記イオン化チャンバ(4)と前記加速チャンバ(2)はオープンスロット(6)により接続されることを特徴とする、請求項1または2に記載の電子源。
請求項4
前記イオン化チャンバ(4)と前記加速チャンバ(2)は、前記電極(3)の前記中央部(3a)と前記イオン化チャンバ(4)の出口(10)との間に配置されるスロット(6)により接続されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子源。
請求項5
前記出口(10)は開いていることを特徴とする、請求項4に記載の電子源。
請求項6
前記出口(10)は、少なくとも1つのグリッドが設けられることを特徴とする、請求項4に記載の電子源。
請求項7
前記出口(10)は、電子をX線に変換する金属層を備えるシート(16)により塞がれることを特徴とする、請求項4に記載の電子源。
請求項8
前記電源(11)は、キャパシタ(21)を介して直流電圧源に接続されるプライマリ(19)と、アースと前記プライマリの反対側におけるキャパシタの端子との間に配置されるスイッチ(22)と、前記電極に接続されるセカンダリ(20)とが設けられるパルス変換器(18)と;該電極に前記正電圧を加えるためにアースと前記電極との間に配置される補助電圧源(23)と;を備えることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子源。
請求項9
前記電源は、前記補助電圧源(23)に連続して保護装置(24)を備えることを特徴とする、請求項8に記載の電子源。
請求項10
前記補助電圧源(23)は、前記変換器の前記セカンダリに連続して取り付けられることを特徴とする、請求項8または9に記載の電子源。
請求項11
キャパシタが、前記補助電源に平行に取り付けられることを特徴とする、請求項10に記載の電子源。
請求項12
イオン化チャンバ(4)と、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するための電極(3)が設けられた加速チャンバ(2)とを備えるパルス化電子源の制御方法であって、前記加速チャンバ外の一次プラズマを駆動させるための電源(11)により供給される正電圧を該電極(3)に加えるステップと、一次イオンを抽出および加速させるとともに二次電子のビームを形成するために前記電源(11)により供給される負電圧パルスを該電極に加えるステップとを含む、方法。
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FR2926395B1|2010-05-14|
TW200939279A|2009-09-16|
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US20110057566A1|2011-03-10|
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